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• 1、SiO2刻蚀哪家好？

SiO2刻蚀哪家好？

含氟气体中，CF4是最常用的气体之一，与OH2搭配使用，适用于刻蚀二氧化硅、硅氮化物、硅（与O2搭配时，产生C/F，聚合物；与H2搭配时，产生C/F，聚合物）。SF6常与O2结合刻蚀硅，具有高效、高选择性和更好的PR（光刻胶）选择比。也可与CH2F2搭配使用，但对PR选择比不如CF4。

目前国内较多真空镀铝膜使用丙烯酸酯底漆，并根据基材类型调整底漆配方，主要为热固化底漆和紫外光(UV)固化底漆，适用性很好。灯具塑料件大多采用预涂底漆后镀铝，再镀保护膜的方式，保护膜的实质就是二氧化硅，北京真空镀银膜厂。SiO2薄膜具有很好的保护性，可使铝膜在10%的碱性溶液中完好无损。

刻蚀时，选择对SiO2有较高选择比的气体，如CF4/CHF3用于氧化硅刻蚀，而CH2F2适合氮化硅刻蚀，以避免对SiO2层的破坏。欢迎加入半导体制造知识社区，共享丰富资料，快速提升个人能力。

接着，通过交替沉积SiO2和SiNx薄膜，每层厚度约几十纳米，根据产品需求，层数可以达到64层、128层甚至400层。无定形硅碳膜随后被沉积，作为刻蚀沟道的硬掩模。通过硬掩模刻蚀，形成沟道通孔，具体步骤可见相关文章：《3D NAND沟道通孔制作详解》。

：1和1000：1。使用si3n4和sio2等作为掩模，对硅的刻蚀有高的刻蚀选择比，分别为200：1和1000：1；2基片可选择性大，由于刻蚀完全是一个化学反应过程，由于残余气体都可以排出，所以基片尺寸可以减小。